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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：733，"21+"：22358}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PH1225AL，115
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10220，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10220，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：733，"21+"：22358}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PH1225AL，115
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
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输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
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栅极电荷：105nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
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输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
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输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10220，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
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输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：733，"21+"：22358}
规格型号(MPN)：PH1225AL，115
栅极电荷：105nC@10V
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：25V
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
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ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-25YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：733，"21+"：22358}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PH1225AL，115
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6380pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
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栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
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输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
