采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF014N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@40V
连续漏极电流：282A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100S201
工作温度：-55℃~175℃
功率：441W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@50V
连续漏极电流：192A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@115A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF014N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@40V
连续漏极电流：282A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF014N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@267µA
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@40V
连续漏极电流：282A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100S201
工作温度：-55℃~175℃
功率：441W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@50V
连续漏极电流：192A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@115A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF014N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@40V
连续漏极电流：282A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100S201
工作温度：-55℃~175℃
功率：441W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@50V
连续漏极电流：192A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@115A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100S201
工作温度：-55℃~175℃
功率：441W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@50V
连续漏极电流：192A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@115A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100S201
工作温度：-55℃~175℃
功率：441W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@50V
连续漏极电流：192A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@115A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF014N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@40V
连续漏极电流：282A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF014N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@267µA
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@40V
连续漏极电流：282A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1600，"22+"：1437}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100S201
工作温度：-55℃~175℃
功率：441W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@50V
连续漏极电流：192A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@115A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100S201
工作温度：-55℃~175℃
功率：441W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@50V
连续漏极电流：192A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@115A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100S201
工作温度：-55℃~175℃
功率：441W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@50V
连续漏极电流：192A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@115A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1600，"22+"：1437}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100S201
工作温度：-55℃~175℃
功率：441W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@50V
连续漏极电流：192A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@115A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF014N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@267µA
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@40V
连续漏极电流：282A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1600，"22+"：1437}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100S201
工作温度：-55℃~175℃
功率：441W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@50V
连续漏极电流：192A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@115A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF014N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@40V
连续漏极电流：282A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF014N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@40V
连续漏极电流：282A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100S201
工作温度：-55℃~175℃
功率：441W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@50V
连续漏极电流：192A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@115A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF014N08NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@267µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@40V
连续漏极电流：282A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100S201
工作温度：-55℃~175℃
功率：441W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9500pF@50V
连续漏极电流：192A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@115A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF100S201
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：192A
功率：441W
阈值电压：4V@250µA
输入电容：9500pF@50V
栅极电荷：255nC@10V
漏源电压：100V
导通电阻：4.2mΩ@115A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
输入电容：8320pF@20V
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：255nC@10V
功率：333W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
