品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3415pF@10V
连续漏极电流:50.2A€177A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPBE65R099CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2513pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3415pF@10V
连续漏极电流:50.2A€177A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R099CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2513pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ034N06LM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@30V
连续漏极电流:19A€112A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":667}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7619-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7493TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1510pF@25V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@5.6A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7493TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1510pF@25V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@5.6A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7493TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1510pF@25V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@5.6A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR800ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3415pF@10V
连续漏极电流:50.2A€177A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4014,"23+":3396}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC105N10LSFGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@50V
连续漏极电流:11.4A€90A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7E100ATTCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@7.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB049N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3.8V@66µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1671,"23+":239}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPBE65R099CFD7AATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2513pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7493TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1510pF@25V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@5.6A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18540Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@28A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R090CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:127W
阈值电压:4.5V@630μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.513nF@400V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:90mΩ@12.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: