品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23203W
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@4V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"2A+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0355DPA-01#J0B
功率:25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
输入电容:860pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RW4E075AJTCL1
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@2mA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"2A+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0355DPA-01#J0B
功率:25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
输入电容:860pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV75UPR
工作温度:-55℃~150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@1.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"2A+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0355DPA-01#J0B
功率:25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
输入电容:860pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23203W
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@4V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23203W
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@4V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23203WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@4V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23203W
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@4V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN327N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:423pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23203WT
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@4V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23203W
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@4V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23203W
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:914pF@4V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2120U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:487pF@20V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: