销售单位：个

规格型号(MPN)：STGB10NB37LZT4

包装方式：卷带（TR）

集电极脉冲电流(Icm)：40A

关断延迟时间：8µs

关断损耗：5mJ

开启延迟时间：1.3µs

集电极截止电流(Ices)：440V

栅极电荷：28nC

集电极电流(Ic)：1.8V@4.5V，10A

导通损耗：2.4mJ

工作温度：-65℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGP10M65DF2

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：40A

关断延迟时间：91ns

反向恢复时间：96ns

关断损耗：270µJ

开启延迟时间：19ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：28nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，10A

导通损耗：120µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：4475}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPL65R160CFD7AUMA1

工作温度：-40℃~+150℃

功率：98W

阈值电压：4.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：160mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP082N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：100W

阈值电压：3.8V

栅极电荷：28nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：77A

类型：MOSFET

导通电阻：8.2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP082N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：100W

阈值电压：3.8V

栅极电荷：28nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：77A

类型：MOSFET

导通电阻：8.2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1700}

包装规格(MPQ)：1700psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPDD60R145CFD7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：160W

阈值电压：4.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：145mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：4475}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPL65R160CFD7AUMA1

工作温度：-40℃~+150℃

功率：98W

阈值电压：4.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：160mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1700psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPDD60R145CFD7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：160W

阈值电压：4.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：145mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP082N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：100W

阈值电压：3.8V

栅极电荷：28nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：77A

类型：MOSFET

导通电阻：8.2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT60R145CFD7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：116W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：145mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.6W

阈值电压：1.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4A

类型：MOSFET

导通电阻：43mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPL65R160CFD7AUMA1

工作温度：-40℃~+150℃

功率：98W

阈值电压：4.5V

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：160mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPL65R160CFD7AUMA1

工作温度：-40℃~+150℃

功率：98W

阈值电压：4.5V

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：160mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPL65R160CFD7AUMA1

工作温度：-40℃~+150℃

功率：98W

阈值电压：4.5V

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：17A

类型：MOSFET

导通电阻：160mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1700}

包装规格(MPQ)：1700psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPDD60R145CFD7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：160W

阈值电压：4.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：145mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1700psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPDD60R145CFD7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：160W

阈值电压：4.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：145mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1700psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPDD60R145CFD7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：160W

阈值电压：4.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：145mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.6W

阈值电压：1.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4A

类型：MOSFET

导通电阻：43mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1700psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPDD60R145CFD7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：160W

阈值电压：4.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：145mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.6W

阈值电压：1.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4A

类型：MOSFET

导通电阻：43mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI1443EDH-T1-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：1.6W

阈值电压：1.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：4A

类型：MOSFET

导通电阻：43mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2000}

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPT60R145CFD7XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：116W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：145mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGB10M65DF2

包装方式：卷带（TR）

集电极脉冲电流(Icm)：40A

关断延迟时间：91ns

反向恢复时间：96ns

关断损耗：270µJ

开启延迟时间：19ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：28nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，10A

导通损耗：120µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGP10M65DF2

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：40A

关断延迟时间：91ns

反向恢复时间：96ns

关断损耗：270µJ

开启延迟时间：19ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：28nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，10A

导通损耗：120µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGP10M65DF2

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：40A

关断延迟时间：91ns

反向恢复时间：96ns

关断损耗：270µJ

开启延迟时间：19ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：28nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，10A

导通损耗：120µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGB10M65DF2

包装方式：卷带（TR）

集电极脉冲电流(Icm)：40A

关断延迟时间：91ns

反向恢复时间：96ns

关断损耗：270µJ

开启延迟时间：19ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：28nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，10A

导通损耗：120µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：STGB10M65DF2

包装方式：卷带（TR）

集电极脉冲电流(Icm)：40A

关断延迟时间：91ns

反向恢复时间：96ns

关断损耗：270µJ

开启延迟时间：19ns

集电极截止电流(Ices)：650V

栅极电荷：28nC

类型：沟槽型场截止

集电极电流(Ic)：2V@15V，10A

导通损耗：120µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1