采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7270pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1995}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP20N60CFDXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@13.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7270pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW48NM60N
工作温度：150℃
功率：330W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4285pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：780}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI038AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6400pF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"MI+"：790}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7610-55AL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6280pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"MI+"：790}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7610-55AL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6280pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW48NM60N
工作温度：150℃
功率：330W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4285pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW48NM60N
工作温度：150℃
功率：330W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4285pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO033N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW48NM60N
工作温度：150℃
功率：330W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4285pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7270pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW48NM60N
工作温度：150℃
功率：330W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4285pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW48NM60N
工作温度：150℃
功率：330W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4285pF@50V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ50S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：260，"22+"：100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW20N60CFDFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@13.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"MI+"：790}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7610-55AL，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6280pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ50S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：780}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI038AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6400pF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：7360，"22+"：6002，"23+"：12500，"MI+"：4928}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO033N03MSGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ50S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：90W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6290pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC020N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@15V
连续漏极电流：25A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4769}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7510-55AL，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6280pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS3D0P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€171W
阈值电压：2.4V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5827pF@20V
连续漏极电流：28A€183A
类型：P沟道
导通电阻：2.7mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7270pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
