品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L7R4ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2V@10µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN20ENAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:652mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:582pF@20V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M6R7-40HX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:1.161nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:55pF@25V
导通电阻:5.7mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":15038}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS5838NLR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@20V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN20ENAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:652mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:582pF@20V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L7R4ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si2319DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L7R4ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si2319DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":15038}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS5838NLR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:785pF@20V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L7R4ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L7R4ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L7R4ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ40N04S5L7R4ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2V@10µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: