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    行业应用: 工业
    栅极电荷: 56nC@10V
    当前匹配商品:1000+
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    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S407ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S407ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N06S407ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€114W

    阈值电压:3.5V@73µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:16A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R125P6XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R125P6XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R125P6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:219W

    阈值电压:4.5V@960µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2660pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP34N65X2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP34N65X2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP34N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540W

    阈值电压:5.5V@2.5mA

    栅极电荷:56nC@10V

    输入电容:3330pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@17A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF13N50CF 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF13N50CF 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF13N50CF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2055pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ470DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ470DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ470DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€56.8W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@50V

    连续漏极电流:58.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N06S407ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N06S407ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N06S407ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF400N80ZL1-F154 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF400N80ZL1-F154 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF400N80ZL1-F154

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35.7W

    阈值电压:4.5V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA36DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2815pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订173个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订173个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":50000,"MI+":12686}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€114W

    阈值电压:3.5V@73µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:16A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ035N03LSGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC057N08NS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€114W

    阈值电压:3.5V@73µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@40V

    连续漏极电流:16A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH6N120 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH6N120 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH6N120

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:5V@2.5mA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1950pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6Ω@3A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH34N65X2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH34N65X2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH34N65X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540W

    阈值电压:5.5V@2.5mA

    栅极电荷:56nC@10V

    输入电容:3330pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@17A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RRH090P03GZETB 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RRH090P03GZETB 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RRH090P03GZETB

    工作温度:150℃

    功率:650mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:15.4mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF43N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N08S5N043ATMA1 起订465个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N08S5N043ATMA1 起订465个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5000,"22+":20540,"23+":146926,"24+":38907,"MI+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N08S5N043ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:3.8V@63µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3860pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS22LDN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS22LDN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS22LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@30V

    连续漏极电流:25.5A€92.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB026N06NATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB026N06NATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB026N06NATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.8V@75µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@30V

    连续漏极电流:25A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6030KNX 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6030KNX 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030KNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:86W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP43N60DM2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP43N60DM2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP43N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB026N06NATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB026N06NATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB026N06NATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.8V@75µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@30V

    连续漏极电流:25A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP7NK80Z 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP7NK80Z 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP7NK80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1138pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UFDF-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:14.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA052N08NM5SXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA052N08NM5SXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA052N08NM5SXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:3.8V@65µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3800pF@40V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB7NK80ZT4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB7NK80ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1138pF@25V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW45N60DM2AG 起订600个装
    ST Mosfet场效应管 STW45N60DM2AG 起订600个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW45N60DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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