包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGF7NB60SL
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:5.2µs
关断损耗:4.1mJ
开启延迟时间:1.1µs
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:16nC
集电极电流(Ic):1.6V@4.5V,7A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGF7NB60SL
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:5.2µs
关断损耗:4.1mJ
开启延迟时间:1.1µs
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:16nC
集电极电流(Ic):1.6V@4.5V,7A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGF7NB60SL
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:5.2µs
关断损耗:4.1mJ
开启延迟时间:1.1µs
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:16nC
集电极电流(Ic):1.6V@4.5V,7A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGF7NB60SL
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:5.2µs
关断损耗:4.1mJ
开启延迟时间:1.1µs
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:16nC
集电极电流(Ic):1.6V@4.5V,7A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGF7NB60SL
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:5.2µs
关断损耗:4.1mJ
开启延迟时间:1.1µs
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:16nC
集电极电流(Ic):1.6V@4.5V,7A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40XPEAX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:660mW
阈值电压:1.3V
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4.7A
类型:MOSFET
导通电阻:50mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN19008QM,LQ
工作温度:-+175℃
功率:57W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:34A
类型:MOSFET
导通电阻:28mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGF7NB60SL
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:5.2µs
关断损耗:4.1mJ
开启延迟时间:1.1µs
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:16nC
集电极电流(Ic):1.6V@4.5V,7A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN19008QM,LQ
工作温度:-+175℃
功率:57W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:34A
类型:MOSFET
导通电阻:28mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGF7NB60SL
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:5.2µs
关断损耗:4.1mJ
开启延迟时间:1.1µs
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:16nC
集电极电流(Ic):1.6V@4.5V,7A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGF7NB60SL
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断延迟时间:5.2µs
关断损耗:4.1mJ
开启延迟时间:1.1µs
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:16nC
集电极电流(Ic):1.6V@4.5V,7A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40XPEAX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:660mW
阈值电压:1.3V
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4.7A
类型:MOSFET
导通电阻:50mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40XPEAX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:660mW
阈值电压:1.3V
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4.7A
类型:MOSFET
导通电阻:50mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40XPEAX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:660mW
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4.7A
类型:MOSFET
导通电阻:50mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):PMN40XPEAX
包装方式:Reel
栅极电荷:16nC
功率:660mW
漏源电压:12V
连续漏极电流:4.7A
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:50mΩ
类型:MOSFET
阈值电压:1.3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STGF7NB60SL
工作温度:-55℃ ~ 150℃
集电极截止电流(Ices):600V
关断延迟时间:5.2µs
开启延迟时间:1.1µs
集电极电流(Ic):1.6V@4.5V,7A
栅极电荷:16nC
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断损耗:4.1mJ
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):TPN19008QM,LQ
功率:57W
阈值电压:3.5V
包装方式:Reel
导通电阻:28mΩ
栅极电荷:16nC
漏源电压:80V
连续漏极电流:34A
工作温度:-+175℃
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STGF7NB60SL
工作温度:-55℃ ~ 150℃
集电极截止电流(Ices):600V
关断延迟时间:5.2µs
开启延迟时间:1.1µs
集电极电流(Ic):1.6V@4.5V,7A
栅极电荷:16nC
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断损耗:4.1mJ
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
阈值电压:4V
包装方式:Reel
功率:73W
栅极电荷:16nC
漏源电压:80V
连续漏极电流:57A
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:9.4mΩ
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STGF7NB60SL
工作温度:-55℃ ~ 150℃
集电极截止电流(Ices):600V
关断延迟时间:5.2µs
开启延迟时间:1.1µs
集电极电流(Ic):1.6V@4.5V,7A
栅极电荷:16nC
集电极脉冲电流(Icm):20A
关断损耗:4.1mJ
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
阈值电压:4V
包装方式:Reel
功率:73W
栅极电荷:16nC
漏源电压:80V
连续漏极电流:57A
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:9.4mΩ
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H848NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:73W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:57A
类型:MOSFET
导通电阻:9.4mΩ
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40XPEAX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:660mW
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:4.7A
类型:MOSFET
导通电阻:50mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: