采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120FL3WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：136ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，40A
导通损耗：1.6mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120FL3WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：136ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，40A
导通损耗：1.6mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120FL3WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：136ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，40A
导通损耗：1.6mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120FL3WG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：136ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，40A
导通损耗：1.6mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：212nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：150A
类型：MOSFET
导通电阻：1.75mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：212nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：150A
类型：MOSFET
导通电阻：1.75mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120S3WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：163ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，40A
导通损耗：2.2mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120FL3WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：136ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，40A
导通损耗：1.6mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120FL3WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：136ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，40A
导通损耗：1.6mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120FL3WG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：136ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，40A
导通损耗：1.6mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120FL3WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：136ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，40A
导通损耗：1.6mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120S3WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：163ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，40A
导通损耗：2.2mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：212nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：150A
类型：MOSFET
导通电阻：1.75mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：212nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：150A
类型：MOSFET
导通电阻：2mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：212nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：150A
类型：MOSFET
导通电阻：2mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"24+"：390，"MI+"：1200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120S3WG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：163ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，40A
导通损耗：2.2mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120FL3WG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：136ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，40A
导通损耗：1.6mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2V
栅极电荷：212nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：150A
类型：MOSFET
导通电阻：1.75mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"24+"：390，"MI+"：1200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120S3WG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：163ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，40A
导通损耗：2.2mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120FL3WG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：136ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，40A
导通损耗：1.6mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120S3WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：163ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，40A
导通损耗：2.2mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：212nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：150A
类型：MOSFET
导通电阻：2mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120FL3WG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：136ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.3V@15V，40A
导通损耗：1.6mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120S3WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：163ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，40A
导通损耗：2.2mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120S3WG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：163ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，40A
导通损耗：2.2mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：212nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：150A
类型：MOSFET
导通电阻：2mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50010E-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：212nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：150A
类型：MOSFET
导通电阻：2mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"24+"：390，"MI+"：1200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGTB40N120S3WG
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：145ns
反向恢复时间：163ns
关断损耗：1.1mJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：212nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.95V@15V，40A
导通损耗：2.2mJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
