采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R5-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@15V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3402_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G02P06
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76407D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：92mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R5-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@15V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G02P06
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：573pF@30V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R5-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@15V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76407D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：92mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3027LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：18.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD3055LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：107mΩ@8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3032LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R5-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@15V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3027LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：18.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
