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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322DN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322DN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7322DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:4.4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@50V

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@50V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ416EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ416EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ416EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6645TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6645TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6645TRPBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.2W€42W

    阈值电压:4.9V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@25V

    连续漏极电流:5.7A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6645TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6645TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6645TRPBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.2W€42W

    阈值电压:4.9V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@25V

    连续漏极电流:5.7A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@50V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJW3P10A_R2_00001 起订19个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW3P10A_R2_00001 起订19个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW3P10A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.419nF@25V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:210mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ476EP-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ476EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC3612 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612 起订1365个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612 起订1365个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":4312,"22+":21701}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6645TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6645TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6645TRPBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.2W€42W

    阈值电压:4.9V@50µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@25V

    连续漏极电流:5.7A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6645TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6645TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6645TRPBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.2W€42W

    阈值电压:4.9V@50µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@25V

    连续漏极电流:5.7A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC3612 起订1000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC3612 起订1000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6416ANT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6416ANT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:81mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ416EP-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ416EP-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ416EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@50V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@50V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@50V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT3612 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:632pF@50V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4486 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4486 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4486

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@50V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4486 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4486 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4486

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@50V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6645TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF6645TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF6645TRPBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.2W€42W

    阈值电压:4.9V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@25V

    连续漏极电流:5.7A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4486 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4486 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4486

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@50V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4486 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4486 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4486

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@50V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:79mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    MCC Mosfet场效应管 MCQ05P10Y-TP 起订2000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCQ05P10Y-TP 起订2000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCQ05P10Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1051pF@50V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC3612 起订9000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC3612 起订9000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC3612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:660pF@50V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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