采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：2V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：2V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS6D2N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€61W
阈值电压：2V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A€71A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C670NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：16A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C670NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：16A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C670NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：16A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C670NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：16A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7308DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@5.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C670NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：16A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：BiPOM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1142，"22+"：1651}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS6D2N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€61W
阈值电压：2V@53µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A€71A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7308DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@5.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP171PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@460µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@30V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：15.7mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C670NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：16A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7308DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@5.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C670NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€63W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：16A€70A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18563Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP171PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@460µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
