采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010NE2LSI
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：Reel
输入电容：4200pF@12V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW5NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1154pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@1.75A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR540ZTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP5NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1154pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.7Ω@1.75A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3195pF@50V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3195pF@50V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：13.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3195pF@50V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：13.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR540ZTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@50µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2570pF@25V
连续漏极电流：10A€55A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2570pF@25V
连续漏极电流：10A€55A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR540ZTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86163P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：7.9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@7.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：BiPOM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：165，"22+"：30000，"MI+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8445
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：4050pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2958}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8316TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€59W
阈值电压：2.2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@10V
连续漏极电流：27A€50A
类型：N沟道
导通电阻：2.95mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR540ZTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@50µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R008NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@40V
连续漏极电流：116A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5210TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€104W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2570pF@25V
连续漏极电流：10A€55A
类型：N沟道
导通电阻：14.9mΩ@33A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR540ZTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISH617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：13.9A€35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI040P04D1-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：3.538nF@20V
连续漏极电流：40A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：170W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3195pF@50V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC010NE2LSIATMA1
功率：2.5W€96W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@12V
连续漏极电流：38A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7617DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@13.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR540ZTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@50µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
