品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:04+
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86259P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€62W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@75V
连续漏极电流:3.2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:107mΩ@3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5505TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@9.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4419
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5505TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@9.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5505TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@9.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86259P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€62W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@75V
连续漏极电流:3.2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:107mΩ@3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86259P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€62W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@75V
连续漏极电流:3.2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:107mΩ@3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86259P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€62W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@75V
连续漏极电流:3.2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:107mΩ@3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5505TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@9.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5505TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@9.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5505TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@9.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86259P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€62W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@75V
连续漏极电流:3.2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:107mΩ@3A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4419
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5505TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@9.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4419
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:9.7A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5505TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@9.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:04+
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5505TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@9.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5505TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@9.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR5505TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@9.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4111PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:630mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@3.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: