品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH090P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:15.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-75B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3096pF@25V
连续漏极电流:48.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRS090P03HZGTB
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@5V
输入电容:3nF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:15.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRS090P03HZGTB
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@5V
输入电容:3nF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:15.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y09-40B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:105.3W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH090P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:15.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-75B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3096pF@25V
连续漏极电流:48.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH090P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:15.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-75B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3096pF@25V
连续漏极电流:48.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y09-40B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:105.3W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-75B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3096pF@25V
连续漏极电流:48.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1850
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH090P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:15.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH090P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:15.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y19-75B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3096pF@25V
连续漏极电流:48.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRH090P03TB1
工作温度:150℃
功率:650mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:15.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RRS090P03HZGTB
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:30nC@5V
输入电容:3nF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:15.4mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2220pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8499DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.77W€13W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@10V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: