采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6341-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.1A€3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ065N03LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€26W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@15V
连续漏极电流：12A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6341-M-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD135N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6341-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：59mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6204
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@15V
连续漏极电流：14A€24A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2366DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：4.5A€5.8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2366DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：4.5A€5.8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：226pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON1634
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：245pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3405-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：417pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：73mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB147N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：14.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6204
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@15V
连续漏极电流：14A€24A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6204
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€31W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@15V
连续漏极电流：14A€24A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3434A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：245pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3434A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：245pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD135N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：31W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E035ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3405-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：417pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：73mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：226pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ065N03LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€26W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@15V
连续漏极电流：12A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
