品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFY30N25X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@500µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP30N25X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@500µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP30N25X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@500µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S4L23ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT30N06L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT30N06L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S4L23ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@10µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86381-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:866pF@40V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):70psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFY30N25X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@500µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19020,"MI+":2479}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S4L23ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19020,"MI+":2479}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S4L23ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP30N25X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@500µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S4L23ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@10µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S4L23ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@10µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S4L23ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@10µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S4L23ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@10µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S4L23ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S4L23ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP30N25X3
工作温度:-55℃~150℃
功率:176W
阈值电压:4.5V@500µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S4L23ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT30N06L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT30N06L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG30N06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT30N06L
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86381-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:866pF@40V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N06S4L23ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:2.2V@10µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86381-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:866pF@40V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IXFP30N25X3
阈值电压:4.5V@500µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:250V
包装方式:Tube
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:1450pF@25V
导通电阻:60mΩ@15A,10V
连续漏极电流:30A
功率:176W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":19020,"MI+":2479}
规格型号(MPN):IPD30N06S4L23ATMA2
输入电容:1560pF@25V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@10µA
漏源电压:60V
功率:36W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
导通电阻:23mΩ@30A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"23+":19020,"MI+":2479}
规格型号(MPN):IPD30N06S4L23ATMA2
输入电容:1560pF@25V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@10µA
漏源电压:60V
功率:36W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
导通电阻:23mΩ@30A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: