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    行业应用: 工业
    栅极电荷: 21nC@10V
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
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    价格
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3410EV-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3410EV-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3410EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1005pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD09P06PLGBTMA1 起订1099个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD09P06PLGBTMA1 起订1099个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4340,"23+":7043}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD09P06PLGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R0-40PS,127 起订499个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R0-40PS,127 起订499个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":1000,"21+":1600,"9999":711}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R0-40PS,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:86W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1262pF@12V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260ET150 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260ET150 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86260ET150

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@75V

    连续漏极电流:5.4A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R0-40BS,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R0-40BS,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R0-40BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:86W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1262pF@12V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP150N10A-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP150N10A-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP150N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP150N10A-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP150N10A-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP150N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA80ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1358pF@40V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NF10T4 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NF10T4 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NF10T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M11-40HX 起订1657个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M11-40HX 起订1657个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":93000,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M11-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1345pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA80ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1358pF@40V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD09P06PLGBTMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD09P06PLGBTMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD09P06PLGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD413A 起订17个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD413A 起订17个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD413A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1125pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA80ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1358pF@40V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP076N15N5AKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP076N15N5AKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP076N15N5AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:4.6V@160µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4700pF@75V

    连续漏极电流:112A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@56A,10

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NF10T4 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NF10T4 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NF10T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NF10T4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NF10T4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NF10T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NF10T4 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NF10T4 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NF10T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R0-40PS,127 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R0-40PS,127 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":1000,"21+":1600,"9999":711}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R0-40PS,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:86W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1262pF@12V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NF10T4 起订5000个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NF10T4 起订5000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NF10T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M11-40HX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M11-40HX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M11-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1345pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86381-F085 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86381-F085 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":6362,"MI+":2300}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86381-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:866pF@40V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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