品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ40N50L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW47N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:3.9V@2.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT40N50L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW47N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:3.9V@2.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT40N50L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW47N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:3.9V@2.7mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW47N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:3.9V@2.7mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW47N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:3.9V@2.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW47N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:3.9V@2.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW47N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:3.9V@2.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW47N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:3.9V@2.7mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW47N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:3.9V@2.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ40N50L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ40N50L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW47N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:3.9V@2.7mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW47N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:3.9V@2.7mA
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包装方式:管件
输入电容:6800pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW47N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:3.9V@2.7mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTT40N50L2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P04PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:320nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: