采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.4nC@10V
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3G100GNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN537N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：465pF@15V
连续漏极电流：6.5A€6.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
