品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4709}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCHD125N65S3R0-F155
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4709}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCHD125N65S3R0-F155
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-30YLEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:265A
类型:MOSFET
导通电阻:1.3mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCHD125N65S3R0-F155
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:46nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA20N50E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:184mΩ
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA20N50E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:184mΩ
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA20N50E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:184mΩ
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCHD125N65S3R0-F155
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:46nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-30YLEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:192W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:265A
类型:MOSFET
导通电阻:1.3mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4709}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCHD125N65S3R0-F155
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA20N50E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:184mΩ
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP32P05T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:46nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:32A
类型:MOSFET
导通电阻:39mΩ
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCHD125N65S3R0-F155
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:46nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA20N50E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:19A
类型:MOSFET
导通电阻:184mΩ
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: