采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH110N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@55A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH110N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：4.5V@3mA
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@55A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS2D3P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€205W
阈值电压：2.4V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5985pF@20V
连续漏极电流：31A€222A
类型：P沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS2D3P04M8LT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€205W
阈值电压：2.4V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.985nF@20V
连续漏极电流：31A€222A
类型：1个P沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH110N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：4.5V@3mA
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@55A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH110N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：4.5V@3mA
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@55A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH110N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：4.5V@3mA
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@55A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS2D3P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€205W
阈值电压：2.4V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5985pF@20V
连续漏极电流：31A€222A
类型：P沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS2D3P04M8LT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€205W
阈值电压：2.4V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.985nF@20V
连续漏极电流：31A€222A
类型：1个P沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH110N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：4.5V@3mA
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@55A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS2D3P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€205W
阈值电压：2.4V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5985pF@20V
连续漏极电流：31A€222A
类型：P沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH110N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@55A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS2D3P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€205W
阈值电压：2.4V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5985pF@20V
连续漏极电流：31A€222A
类型：P沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH110N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@55A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS2D3P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€205W
阈值电压：2.4V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5985pF@20V
连续漏极电流：31A€222A
类型：P沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS2D3P04M8LT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€205W
阈值电压：2.4V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.985nF@20V
连续漏极电流：31A€222A
类型：1个P沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS2D3P04M8LT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€205W
阈值电压：2.4V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.985nF@20V
连续漏极电流：31A€222A
类型：1个P沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH110N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：4.5V@3mA
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@55A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH110N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：4.5V@3mA
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@55A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS2D3P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€205W
阈值电压：2.4V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5985pF@20V
连续漏极电流：31A€222A
类型：P沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS2D3P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€205W
阈值电压：2.4V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5985pF@20V
连续漏极电流：31A€222A
类型：P沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH110N25T
栅极电荷：157nC@10V
导通电阻：24mΩ@55A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
类型：N沟道
漏源电压：250V
连续漏极电流：110A
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH110N25T
栅极电荷：157nC@10V
导通电阻：24mΩ@55A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
类型：N沟道
漏源电压：250V
连续漏极电流：110A
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH110N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@55A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH110N25T
栅极电荷：157nC@10V
导通电阻：24mΩ@55A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：4.5V@3mA
类型：N沟道
漏源电压：250V
连续漏极电流：110A
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH110N25T
栅极电荷：157nC@10V
导通电阻：24mΩ@55A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：4.5V@3mA
类型：N沟道
漏源电压：250V
连续漏极电流：110A
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS2D3P04M8LT1G
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：卷带（TR）
功率：3.8W€205W
输入电容：5985pF@20V
漏源电压：40V
连续漏极电流：31A€222A
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
阈值电压：2.4V@2.7mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH110N25T
工作温度：-55℃~150℃
功率：694W
阈值电压：4.5V@3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9400pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@55A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS2D3P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€205W
阈值电压：2.4V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5985pF@20V
连续漏极电流：31A€222A
类型：P沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS2D3P04M8LT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€205W
阈值电压：2.4V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：157nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.985nF@20V
连续漏极电流：31A€222A
类型：1个P沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
