品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20A60W5,S5VX
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20V60W5,LVQ
工作温度:150℃
功率:156W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P200SNFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P200SNTL1
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P200SNTL1
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20V60W5,LVQ
工作温度:150℃
功率:156W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P200SNTL1
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P200SNFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L08CGNTLL
工作温度:150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P200SNFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P200SNTL1
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L08CGNTLL
工作温度:150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P200SNFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L08CGNTLL
工作温度:150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20V60W5,LVQ
工作温度:150℃
功率:156W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD201N10TL
工作温度:150℃
功率:850mW€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P200SNTL1
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P200SNFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20V60W5,LVQ
工作温度:150℃
功率:156W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P200SNFRATL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L08CGNTLL
工作温度:150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L08CGNTLL
工作温度:150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P200SNTL1
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSD201N10TL
工作温度:150℃
功率:850mW€20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF42N60M2-EP
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.75V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2370pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:87mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: