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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD201N10TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD201N10TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD201N10TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD201N10TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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