采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGW20V60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP20V60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGW20V60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGW20V60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGW20V60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGW20V60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2000}
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-55SLHAX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：330A
类型：MOSFET
导通电阻：1.03mΩ
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP20V60F
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGW20V60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP20V60F
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGFW20V60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP20V60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP20V60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP20V60F
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP20V60F
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGP20V60F
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGW20V60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGW20V60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGFW20V60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-55SLHAX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：116nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：330A
类型：MOSFET
导通电阻：1.03mΩ
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"19+"：600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGWT20V60DF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGFW20V60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"19+"：600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGWT20V60DF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-55SLHAX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：116nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：330A
类型：MOSFET
导通电阻：1.03mΩ
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2000}
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-55SLHAX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：330A
类型：MOSFET
导通电阻：1.03mΩ
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT43GA90BD30
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：129A
关断延迟时间：82ns
关断损耗：425µJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：900V
栅极电荷：116nC
类型：PT
集电极电流(Ic)：3.1V@15V，47A
导通损耗：875µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2000}
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R2-55SLHAX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：116nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：330A
类型：MOSFET
导通电阻：1.03mΩ
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGW20V60DF
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：149ns
反向恢复时间：40ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：38ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：116nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.2V@15V，20A
导通损耗：200µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT43GA90BD30
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：129A
关断延迟时间：82ns
关断损耗：425µJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：900V
栅极电荷：116nC
类型：PT
集电极电流(Ic)：3.1V@15V，47A
导通损耗：875µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT43GA90B
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：129A
关断延迟时间：82ns
关断损耗：425µJ
开启延迟时间：12ns
集电极截止电流(Ices)：900V
栅极电荷：116nC
类型：PT
集电极电流(Ic)：3.1V@15V，25A
导通损耗：875µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
