采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3020UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：8.8nC@10V
输入电容：383pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD9N40M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1800，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU4300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：4.5V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：355pF@100V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：5.7A€24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：5.7A€24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF4300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：4.5V@160µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：355pF@100V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：5.7A€24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：5.7A€24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：5.7A€24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：5.7A€24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU4300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：4.5V@160µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：355pF@100V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP7N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N60M2
工作温度：150℃
功率：4W€67W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF4300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：4.5V@160µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：355pF@100V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
