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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB123N10N3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB123N10N3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB123N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@46µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.3mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD122N10N3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD122N10N3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD122N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@46µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:3.5V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC159N10LSF G 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC159N10LSF G 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC159N10LSF G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:2.4V@72µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD122N10N3GATMA1 起订554个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD122N10N3GATMA1 起订554个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD122N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@46µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ418EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ418EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ418EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订373个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订373个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H

    工作温度:175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@50A,15V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD122N10N3GATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD122N10N3GATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD122N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@46µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD6415ANLT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD6415ANLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19533Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€96W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ418EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ418EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ418EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONS66923 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AONS66923 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:15A€47A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ150N10LS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€63W

    阈值电压:2.1V@33µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC159N10LSF G 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC159N10LSF G 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC159N10LSF G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:2.4V@72µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5AT 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19533Q5AT 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19533Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€96W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:3.5V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP66923 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ418EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ418EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ418EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF3860T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF3860T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD122N10N3GATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD122N10N3GATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD122N10N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@46µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD66923 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD66923 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD66923

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€73W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1725pF@50V

    连续漏极电流:16.5A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC109N10NS3GATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC109N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:3.5V@45µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@46A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD6495NLT4G-VF01 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD6495NLT4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1024pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ150N10LS3GATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ150N10LS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€63W

    阈值电压:2.1V@33µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF3860T 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF3860T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:33.8W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.8nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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