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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K819R,LXHF 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K819R,LXHF 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K819R,LXHF

    工作温度:175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@100µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:25.8mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22205LT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1469DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W€2.78W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@10V

    连续漏极电流:3.2A€2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9431A 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9431A 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9431A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16404Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16404Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16404Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G3401L 起订88个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3401L 起订88个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3401L

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.3V@250μA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    输入电容:880pF@15V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:75pF@15V

    导通电阻:60mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTRV4101PT1G 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTRV4101PT1G 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTRV4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3485C 起订27个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3485C 起订27个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3485C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:550mV@250μA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    输入电容:930pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:80pF@10V

    导通电阻:33mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22205LT 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22205LT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.05V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.9mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1H 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1H 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTRV4101PT1G 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTRV4101PT1G 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTRV4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W€2.78W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订59个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订59个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1902

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订44个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订44个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W€2.78W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968UQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968UQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME820NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@10V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1469DH-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1469DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W€2.78W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9431A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9431A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9431A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订186000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6968U-7 起订186000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6968U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:151pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订30000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4101PT1G 起订30000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4101PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:420mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@10V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@1.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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