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    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LDM-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LDM-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:336pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LDM-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LDM-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:336pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP315PH6327XTSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP315PH6327XTSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP315PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@160µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:1.17A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@1.17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP315PH6327XTSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP315PH6327XTSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP315PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@160µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:1.17A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@1.17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LDM-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LDM-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:336pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LDM-7 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LDM-7 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:336pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404-AU_R1_000A1 起订23个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3404-AU_R1_000A1 起订23个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3404-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2170U-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2170U-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2170U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y59-60EX 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y59-60EX 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":180,"23+":48000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y59-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:494pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP315PH6327XTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP315PH6327XTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP315PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@160µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:1.17A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@1.17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS70R2K0CEAKMA1 起订1320个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS70R2K0CEAKMA1 起订1320个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1500,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPS70R2K0CEAKMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.5V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:163pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@1A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP315PH6327XTSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP315PH6327XTSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP315PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@160µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:1.17A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@1.17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJL9602_R2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJL9602_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.1V@250μA€2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:343pF@15V€870pF@15V

    连续漏极电流:6.1A€6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V€28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LDM-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LDM-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:336pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订1250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订1250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2170U-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2170U-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2170U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP315PH6327XTSA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP315PH6327XTSA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP315PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@160µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:1.17A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@1.17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LDM-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LDM-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:336pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL4N10F7 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STL4N10F7 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL4N10F7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:408pF@50V

    连续漏极电流:4.5A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2.25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMS2085LSD-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMS2085LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:353pF@15V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.05A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:336pF@25V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y59-60EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y59-60EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y59-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:494pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSP315PH6327XTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP315PH6327XTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP315PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@160µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:1.17A

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@1.17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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