包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V5036S3ST
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:10.8µs
集电极截止电流(Ices):390V
栅极电荷:32nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,10A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V5036S3ST
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:10.8µs
集电极截止电流(Ices):390V
栅极电荷:32nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,10A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V5036S3ST
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:10.8µs
集电极截止电流(Ices):390V
栅极电荷:32nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,10A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V5036P3-F085
包装方式:管件
关断延迟时间:10.8µs
集电极截止电流(Ices):390V
栅极电荷:32nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,10A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD75N04S4-06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:58W
阈值电压:3V
栅极电荷:32nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:75A
类型:MOSFET
导通电阻:5.9mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R199CP
工作温度:-40℃~+150℃
功率:139W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:32nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:16.4A
类型:MOSFET
导通电阻:199mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V5036S3ST
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:10.8µs
集电极截止电流(Ices):390V
栅极电荷:32nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,10A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V5045S3ST-F085C
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:10.8µs
集电极截止电流(Ices):480V
栅极电荷:32nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,10A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V5045S3ST-F085
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:10.8µs
集电极截止电流(Ices):480V
栅极电荷:32nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,10A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R420CFD
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83.3W
阈值电压:4V
栅极电荷:32nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:8.7A
类型:MOSFET
导通电阻:420mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V5045S3ST-F085C
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:10.8µs
集电极截止电流(Ices):480V
栅极电荷:32nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,10A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V5045S3ST-F085C
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:10.8µs
集电极截止电流(Ices):480V
栅极电荷:32nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,10A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RGT30NS65DGTL
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):45A
关断延迟时间:64ns
反向恢复时间:55ns
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:32nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,15A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V5036S3ST
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:10.8µs
集电极截止电流(Ices):390V
栅极电荷:32nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,10A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V5036P3-F085
ECCN:EAR99
包装方式:管件
关断延迟时间:10.8µs
集电极截止电流(Ices):390V
栅极电荷:32nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,10A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V5045S3ST-F085C
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:10.8µs
集电极截止电流(Ices):480V
栅极电荷:32nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,10A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V5045S3ST-F085
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:10.8µs
集电极截止电流(Ices):480V
栅极电荷:32nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,10A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGT30TM65DGC9
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):45A
关断延迟时间:64ns
反向恢复时间:55ns
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:32nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,15A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGT30TM65DGC9
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):45A
关断延迟时间:64ns
反向恢复时间:55ns
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:32nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,15A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RGT30TM65DGC9
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):45A
关断延迟时间:64ns
反向恢复时间:55ns
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:32nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,15A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RGT30NS65DGTL
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):45A
关断延迟时间:64ns
反向恢复时间:55ns
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:32nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,15A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RGT30NS65DGTL
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):45A
关断延迟时间:64ns
反向恢复时间:55ns
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:32nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,15A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":3500}
销售单位:个
规格型号(MPN):SKA06N60XKSA1
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):24A
关断延迟时间:220ns
反向恢复时间:200ns
关断损耗:215µJ
开启延迟时间:25ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:32nC
类型:NPT
集电极电流(Ic):2.4V@15V,6A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RGT30NS65DGTL
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):45A
关断延迟时间:64ns
反向恢复时间:55ns
开启延迟时间:18ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:32nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,15A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGWA8M120DF3
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):32A
关断延迟时间:126ns
反向恢复时间:103ns
关断损耗:370µJ
开启延迟时间:20ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:32nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.3V@15V,8A
导通损耗:390µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL9V5045S3ST-F085C
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
关断延迟时间:10.8µs
集电极截止电流(Ices):480V
栅极电荷:32nC
集电极电流(Ic):1.6V@4V,10A
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB186N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:5V
栅极电荷:32nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:8.4A
类型:MOSFET
导通电阻:168mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS2D4N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:32nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:138A
类型:MOSFET
导通电阻:2.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS2D4N04CTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V
栅极电荷:32nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:138A
类型:MOSFET
导通电阻:2.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHU4N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:69W
阈值电压:2V
栅极电荷:32nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:4.3A
类型:MOSFET
导通电阻:1.27Ω
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: