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    Microchip Mosfet场效应管 APT10090BLLG 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT10090BLLG 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT10090BLLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:298W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1969pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@6A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD025N06N 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD025N06N 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD025N06N

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€167W

    阈值电压:2.8V@95µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:Reel

    输入电容:5200pF@30V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R5-80BS,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R5-80BS,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R5-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4461pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC016N06NSATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC016N06NSATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC016N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:2.8V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@30V

    连续漏极电流:30A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LSS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LSS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:11.5A€29.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540NSTRLPBF 起订800个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540NSTRLPBF 起订800个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC016N06NSATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC016N06NSATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC016N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:2.8V@95µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@30V

    连续漏极电流:30A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R8-40PS,127 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R8-40PS,127 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:211W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4491pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D6N04CLTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS1D6N04CLTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS1D6N04CLTWG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:107.1W€3.8W

    阈值电压:3V@210μA

    栅极电荷:71nC@10V

    输入电容:4.301nF@25V

    连续漏极电流:185A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:14.4A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3411TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3411TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3411TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW38N65M5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW38N65M5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW38N65M5

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3000pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540NLPBF 起订481个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540NLPBF 起订481个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2144,"MI+":1582}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540NLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1960pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC016N06NSATMA1 起订128个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC016N06NSATMA1 起订128个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":35403,"23+":60000,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC016N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€139W

    阈值电压:2.8V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@30V

    连续漏极电流:30A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R8-40PS,127 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R8-40PS,127 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R8-40PS,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:211W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4491pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ482DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ482DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ482DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€69.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2425pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540NSTRRPBF 起订800个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540NSTRRPBF 起订800个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540NSTRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7143DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7143DP-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.2W€35.7W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@16.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540NPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540NPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1960pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540NSTRLPBF 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540NSTRLPBF 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540NSTRLPBF 起订800个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540NSTRLPBF 起订800个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH129DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:14.4A€35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD025N06NATMA1 起订309个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD025N06NATMA1 起订309个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":62500,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD025N06NATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3W€167W

    阈值电压:2.8V@95μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.2nF@30V

    连续漏极电流:90A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540NPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540NPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1960pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LSS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LSS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:11.5A€29.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订14个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7129DN-T1-GE3 起订14个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7129DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52.1W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.4mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540NLPBF 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF540NLPBF 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF540NLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1960pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LPS-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H010LPS-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H010LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W€139W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3411TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3411TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3411TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:44mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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