采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB27P06TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4064EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2096pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：19.8mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP27P06
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4064EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2096pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：19.8mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB27P06TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB27P06TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：27A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
