品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS42LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2058pF@50V
连续漏极电流:11.3A€39A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS42LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2058pF@50V
连续漏极电流:11.3A€39A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1915pF@20V
连续漏极电流:18.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1915pF@20V
连续漏极电流:18.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1915pF@20V
连续漏极电流:18.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€34.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS42LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2058pF@50V
连续漏极电流:11.3A€39A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€34.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1915pF@20V
连续漏极电流:18.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1915pF@20V
连续漏极电流:18.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1915pF@20V
连续漏极电流:18.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.8A€80.3A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€34.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€34.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS42LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2058pF@50V
连续漏极电流:11.3A€39A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1915pF@20V
连续漏极电流:18.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS42LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2058pF@50V
连续漏极电流:11.3A€39A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.8A€80.3A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€34.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.8A€80.3A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.8A€80.3A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.8A€80.3A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: