采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA093N06N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：4V@34µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3900pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR186LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.8A€80.3A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.7A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.7A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y22-60ELX
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2592pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.7A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.7A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y22-60ELX
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2592pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA093N06N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：4V@34µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3900pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y22-60ELX
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2592pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.7A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.7A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR186LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.8A€80.3A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.7A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.7A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR186LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.8A€80.3A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR186LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.8A€80.3A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR186LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.8A€80.3A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y22-60ELX
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2592pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR186LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.8A€80.3A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR186LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.8A€80.3A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.7A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：18950，"22+"：950，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA093N06N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：4V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3900pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR186LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.8A€80.3A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR186LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.8A€80.3A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：3148}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5414NT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR186LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.8A€80.3A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.7A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€57W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@30V
连续漏极电流：23.7A€81.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
