采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LPSW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@30V
连续漏极电流：17.3A€82A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LPSW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@30V
连续漏极电流：17.3A€82A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：184W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2645}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3746
工作温度：150℃
功率：2.5W€110W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LPSW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@30V
连续漏极电流：17.3A€82A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：184W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：184W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2645}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3746
工作温度：150℃
功率：2.5W€110W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2645}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3746
工作温度：150℃
功率：2.5W€110W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LPSW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@30V
连续漏极电流：17.3A€82A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3746-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€110W
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：184W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LPSW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@30V
连续漏极电流：17.3A€82A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：184W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LPSW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@30V
连续漏极电流：17.3A€82A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LPSW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@30V
连续漏极电流：17.3A€82A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：184W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LPSW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@30V
连续漏极电流：17.3A€82A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LPSW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@30V
连续漏极电流：17.3A€82A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：184W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LPSW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@30V
连续漏极电流：17.3A€82A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：630}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3746-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€110W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：630}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3746-1E
工作温度：150℃
功率：2.5W€110W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2645}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3746
工作温度：150℃
功率：2.5W€110W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT67M8LPSW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@30V
连续漏极电流：17.3A€82A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
