采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC034N06NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：2.1V
栅极电荷：33nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：3.4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF10NB60SD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：1.2µs
反向恢复时间：37ns
关断损耗：5mJ
开启延迟时间：700ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：33nC
集电极电流(Ic)：1.75V@15V，10A
导通损耗：600µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF10NB60SD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：1.2µs
反向恢复时间：37ns
关断损耗：5mJ
开启延迟时间：700ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：33nC
集电极电流(Ic)：1.75V@15V，10A
导通损耗：600µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC034N06NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：2.1V
栅极电荷：33nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：3.4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC034N06NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：2.1V
栅极电荷：33nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：3.4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC034N06NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：2.1V
栅极电荷：33nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：3.4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：102W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC
连续漏极电流：79A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMNR89-25YLEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：224W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：33nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：270A
类型：MOSFET
导通电阻：980μΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：102W
阈值电压：4V
栅极电荷：33nC
连续漏极电流：79A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：102W
阈值电压：4V
栅极电荷：33nC
连续漏极电流：79A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF10NB60SD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：1.2µs
反向恢复时间：37ns
关断损耗：5mJ
开启延迟时间：700ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：33nC
集电极电流(Ic)：1.75V@15V，10A
导通损耗：600µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC034N06NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：2.1V
栅极电荷：33nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：3.4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"14+"：147000，"15+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJH60M2DPE-00#J3
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：70ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：180µJ
开启延迟时间：32ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：33nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2.5V@15V，12A
导通损耗：180µJ
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGD7NB60ST4
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断损耗：3.5mJ
开启延迟时间：700ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：33nC
集电极电流(Ic)：1.6V@15V，7A
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF10NB60SD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：1.2µs
反向恢复时间：37ns
关断损耗：5mJ
开启延迟时间：700ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：33nC
集电极电流(Ic)：1.75V@15V，10A
导通损耗：600µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"14+"：147000，"15+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJH60M2DPE-00#J3
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：70ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：180µJ
开启延迟时间：32ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：33nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2.5V@15V，12A
导通损耗：180µJ
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"14+"：147000，"15+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJH60M2DPE-00#J3
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：70ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：180µJ
开启延迟时间：32ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：33nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2.5V@15V，12A
导通损耗：180µJ
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"14+"：147000，"15+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJH60M2DPE-00#J3
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：70ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：180µJ
开启延迟时间：32ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：33nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2.5V@15V，12A
导通损耗：180µJ
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"14+"：147000，"15+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJH60M2DPE-00#J3
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
关断延迟时间：70ns
反向恢复时间：85ns
关断损耗：180µJ
开启延迟时间：32ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：33nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2.5V@15V，12A
导通损耗：180µJ
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGF10NB60SD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：80A
关断延迟时间：1.2µs
反向恢复时间：37ns
关断损耗：5mJ
开启延迟时间：700ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：33nC
集电极电流(Ic)：1.75V@15V，10A
导通损耗：600µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGD7NB60ST4
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断损耗：3.5mJ
开启延迟时间：700ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：33nC
集电极电流(Ic)：1.6V@15V，7A
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC034N06NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：2.1V
栅极电荷：33nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：3.4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC034N06NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：2.1V
栅极电荷：33nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：3.4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGD7NB60ST4
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断损耗：3.5mJ
开启延迟时间：700ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：33nC
集电极电流(Ic)：1.6V@15V，7A
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC034N06NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：2.1V
栅极电荷：33nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：3.4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGD7NB60ST4
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断损耗：3.5mJ
开启延迟时间：700ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：33nC
集电极电流(Ic)：1.6V@15V，7A
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STGD7NB60ST4
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：60A
关断损耗：3.5mJ
开启延迟时间：700ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：33nC
集电极电流(Ic)：1.6V@15V，7A
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC034N06NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：2.1V
栅极电荷：33nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：3.4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：102W
阈值电压：4V
栅极电荷：33nC
连续漏极电流：79A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMNR89-25YLEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：224W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：33nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：270A
类型：MOSFET
导通电阻：980μΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
