采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€180W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：56A€368A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1120}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP019N06NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€188W
阈值电压：3.3V@129µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7300pF@30V
连续漏极电流：33A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200S234
工作温度：-55℃~175℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6484pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@51A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200S234
工作温度：-55℃~175℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6484pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@51A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS0D8N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€180W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：56A€368A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF200S234
工作温度：-55℃~175℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6484pF@50V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：16.9mΩ@51A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW11NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：230W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@4.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4006SPSWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6855pF@20V
连续漏极电流：115A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4006SPSWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6855pF@20V
连续漏极电流：115A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW11NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：230W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@4.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW11NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：230W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@4.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4006SPSWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6855pF@20V
连续漏极电流：115A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3490}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS0D8N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€180W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：56A€368A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€180W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：56A€368A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW11NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：230W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@4.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW11NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：230W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@4.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4463CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@15V
连续漏极电流：13.6A€49A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS0D8N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€180W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：56A€368A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFK220N15P
工作温度：-55℃~175℃
功率：1250W
阈值电压：4.5V@8mA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：管件
输入电容：15400pF@25V
连续漏极电流：220A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMJS0D8N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€180W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：56A€368A
类型：N沟道
导通电阻：0.72mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4006SPSWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€104W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6855pF@20V
连续漏极电流：115A
类型：P沟道
导通电阻：5.2mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP019N06NF2SAKMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€188W
阈值电压：3.3V@129µA
栅极电荷：162nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7300pF@30V
连续漏极电流：33A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
