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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN5R4-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：36.3nC@10V
输入电容：1.6nF@15V
连续漏极电流：66A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.4mΩ@14.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN5R4-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：36.3nC@10V
输入电容：1.6nF@15V
连续漏极电流：66A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.4mΩ@14.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN5R4-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：36.3nC@10V
输入电容：1.6nF@15V
连续漏极电流：66A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.4mΩ@14.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
包装方式：卷带（TR）
功率：3.1W
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：36.3nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：1940pF@30V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：8mΩ@20A，10V
连续漏极电流：16.3A€70A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN5R4-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：36.3nC@10V
输入电容：1.6nF@15V
连续漏极电流：66A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.4mΩ@14.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PXN5R4-30QLJ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：36.3nC@10V
输入电容：1.6nF@15V
连续漏极电流：66A€14A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.4mΩ@14.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：36.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1940pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
