品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN230ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:625mW€5.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:134pF@400V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R2K0P7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@400V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D210-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:2.1A€5.7A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:134pF@400V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@30µA
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:134pF@400V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV164ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:640mW€5.8W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:218mΩ@1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA622TT-E1-A
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
输入电容:155pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:82mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K80TB1
功率:2W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.5pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:11.7Ω@250mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS62934
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K80TB1
功率:2W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.5pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:11.7Ω@250mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D210-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:2.1A€5.7A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS62934
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN230ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:625mW€5.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K80TB1
功率:2W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.5pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:11.7Ω@250mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R2K0P7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@400V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":120095,"16+":25900}
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1458-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€38W
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:65pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K80TB1
功率:2W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.5pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:11.7Ω@250mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D210-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:2.1A€5.7A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K80TB1
功率:2W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.5pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:11.7Ω@250mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN230ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:625mW€5.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R2K0P7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@400V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K80TB1
功率:2W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.5pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:11.7Ω@250mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D210-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:2.1A€5.7A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS62934
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN70R2K0P7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:6W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@400V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:134pF@400V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV164ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:640mW€5.8W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:218mΩ@1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@30µA
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:134pF@400V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":120095,"16+":25900}
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1458-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€38W
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:65pF@20V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: