品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:402pF@50V
连续漏极电流:4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:402pF@50V
连续漏极电流:4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:402pF@50V
连续漏极电流:4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:14A€38A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:14A€38A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:14A€38A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L035GNTCL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L035GNTCL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.7V@50µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L035GNTCL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.7V@50µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L035GNTCL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.7V@50µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":220500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C468NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:13A€37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:402pF@50V
连续漏极电流:4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:14A€38A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86151L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5L035GNTCL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:2.7V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":220500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C468NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:13A€37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:402pF@50V
连续漏极电流:4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3449-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:299pF@20V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@2.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:402pF@50V
连续漏极电流:4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:14A€38A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3746}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS010N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:14A€38A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86151L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:88mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8622
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:402pF@50V
连续漏极电流:4A€16A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3449-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:299pF@20V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@2.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3449_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:299pF@20V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:160mΩ@2.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS010N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€28W
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:14A€38A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: