采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：37.8W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.1V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.1V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：37.8W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1345}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：37.8W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N50FTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.15Ω@2.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT20S60L
连续漏极电流：20A
输入电容：1038pF@100V
栅极电荷：19.8nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
包装方式：管件
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
功率：266W
阈值电压：4.1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：AOB20S60L
连续漏极电流：20A
输入电容：1038pF@100V
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：19.8nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
功率：266W
ECCN：EAR99
阈值电压：4.1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：AOB20S60L
连续漏极电流：20A
输入电容：1038pF@100V
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：19.8nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
功率：266W
ECCN：EAR99
阈值电压：4.1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：AOTF20S60L
连续漏极电流：20A
输入电容：1038pF@100V
栅极电荷：19.8nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
包装方式：管件
导通电阻：199mΩ@10A，10V
功率：37.8W
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
阈值电压：4.1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：AOB20S60L
连续漏极电流：20A
输入电容：1038pF@100V
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：19.8nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
功率：266W
ECCN：EAR99
阈值电压：4.1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.1V@250µA
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF20S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：37.8W
阈值电压：4.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1038pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
