品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":6017}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4043LS
工作温度:150℃
功率:2W€20W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:袋
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4043LS
工作温度:150℃
功率:2W€20W
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:袋
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4043LS
工作温度:150℃
功率:2W€20W
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:袋
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2826T1S-E2-AT
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@13.5A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4043LS
工作温度:150℃
功率:2W€20W
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:袋
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":6017}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4043LS
工作温度:150℃
功率:2W€20W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:袋
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":6017}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4043LS
工作温度:150℃
功率:2W€20W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:袋
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":6017}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4043LS
工作温度:150℃
功率:2W€20W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:袋
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4043LS
工作温度:150℃
功率:2W€20W
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:袋
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":6017}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4043LS
工作温度:150℃
功率:2W€20W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@4V
包装方式:袋
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4043LS
功率:2W€20W
连续漏极电流:20A
包装方式:袋
漏源电压:30V
工作温度:150℃
栅极电荷:37nC@4V
导通电阻:21mΩ@10A,4V
类型:N沟道
输入电容:3000pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: