采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0906NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：63A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M1000170D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：4V
栅极电荷：13nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.9A
类型：MOSFET
导通电阻：1.4Ω
漏源电压：1.7kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：1538}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJH60D1DPP-E0#T2
ECCN：EAR99
包装方式：管件
关断延迟时间：42ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：13nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2.5V@15V，10A
导通损耗：100µJ
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：34000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGR3B60KD2TRP
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：15.6A
关断延迟时间：110ns
反向恢复时间：77ns
关断损耗：39µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：13nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，3A
导通损耗：62µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"13+"：238，"9999"：400}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGB4610DPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：18A
关断延迟时间：75ns
反向恢复时间：74ns
关断损耗：122µJ
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：13nC
集电极电流(Ic)：2V@15V，6A
导通损耗：56µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：34000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGR3B60KD2TRP
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：15.6A
关断延迟时间：110ns
反向恢复时间：77ns
关断损耗：39µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：13nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，3A
导通损耗：62µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：34000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGR3B60KD2TRP
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：15.6A
关断延迟时间：110ns
反向恢复时间：77ns
关断损耗：39µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：13nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，3A
导通损耗：62µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08P06P G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：42W
阈值电压：4V
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8.83A
类型：MOSFET
导通电阻：230mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGR3B60KD2TRP
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：15.6A
关断延迟时间：110ns
反向恢复时间：77ns
关断损耗：39µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：13nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，3A
导通损耗：62µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M1000170D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：4V
栅极电荷：13nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.9A
类型：MOSFET
导通电阻：1.4Ω
漏源电压：1.7kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"13+"：350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGS4610DPBF
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：18A
关断延迟时间：75ns
反向恢复时间：74ns
关断损耗：122µJ
开启延迟时间：27ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：13nC
集电极电流(Ic)：2V@15V，6A
导通损耗：56µJ
工作温度：-40℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"21+"：34000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRGR3B60KD2TRP
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：15.6A
关断延迟时间：110ns
反向恢复时间：77ns
关断损耗：39µJ
开启延迟时间：18ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：13nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：2.4V@15V，3A
导通损耗：62µJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0906NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：63A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0906NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：63A
类型：MOSFET
导通电阻：4.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"20+"：1538}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJH60D1DPP-E0#T2
ECCN：EAR99
包装方式：管件
关断延迟时间：42ns
反向恢复时间：70ns
关断损耗：130µJ
开启延迟时间：30ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：13nC
类型：沟道
集电极电流(Ic)：2.5V@15V，10A
导通损耗：100µJ
工作温度：150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS110DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14.2A
类型：MOSFET
导通电阻：54mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M1000170D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：4V
栅极电荷：13nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.9A
类型：MOSFET
导通电阻：1.4Ω
漏源电压：1.7kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
