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    ST Mosfet场效应管 STL42P4LLF6 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STL42P4LLF6 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL42P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME510PZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:37mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL42P4LLF6 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL42P4LLF6 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL42P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD36P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:20.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8P4LLF6 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL8P4LLF6 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8P4LLF6

    工作温度:150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:20.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0204DPA-00#J53 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0204DPA-00#J53 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"0D+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0204DPA-00#J53

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@4.5V

    输入电容:4.24nF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C065BCTCR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C065BCTCR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6C065BCTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1520pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4849NT1G 起订1069个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4849NT1G 起订1069个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":67500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4849NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:870mW€42.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2040pF@12V

    连续漏极电流:10.2A€71A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C065BCTCR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C065BCTCR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6C065BCTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1520pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD36P4LLF6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD36P4LLF6

    工作温度:175℃

    功率:60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:20.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C065BCTCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C065BCTCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6C065BCTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1520pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME510PZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:37mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME510PZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:37mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RAL035P01TCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RAL035P01TCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RAL035P01TCR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C065BCTCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C065BCTCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6C065BCTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1520pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RAL035P01TCR 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RAL035P01TCR 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RAL035P01TCR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C065BCTCR 起订300个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C065BCTCR 起订300个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6C065BCTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1520pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0702LSATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0702LSATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10066,"24+":5573}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0702LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@30V

    连续漏极电流:17A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME510PZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:37mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RAL035P01TCR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RAL035P01TCR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RAL035P01TCR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E110AJTCR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E110AJTCR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7E110AJTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@10mA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2410pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@4.5A,11V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0702LSATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0702LSATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9186,"24+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0702LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€69W

    阈值电压:2.3V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@30V

    连续漏极电流:17A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STS7P4LLF6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STS7P4LLF6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS7P4LLF6

    工作温度:150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:20.5mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4923NET3G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4923NET3G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4923NET3G

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:930mW€48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4850pF@15V

    连续漏极电流:12.7A€91A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4923NET3G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4923NET3G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4923NET3G

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:930mW€48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4850pF@15V

    连续漏极电流:12.7A€91A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RAL035P01TCR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RAL035P01TCR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RAL035P01TCR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RAL035P01TCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RAL035P01TCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RAL035P01TCR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RAL035P01TCR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RAL035P01TCR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RAL035P01TCR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTS2P03R2 起订1886个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTS2P03R2 起订1886个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":153353}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTS2P03R2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@24V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@2.48A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RAL035P01TCR 起订9个装
    ROHM Mosfet场效应管 RAL035P01TCR 起订9个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RAL035P01TCR

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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