采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R8-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9710pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R8-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9710pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
输入电容：4.7nF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R8-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9710pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R8-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9710pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R8-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9710pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R8-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9710pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
工作温度：150℃
功率：42W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN4R712MD，L1Q
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：4.7mΩ@18A，4.5V
栅极电荷：65nC@5V
功率：42W
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
阈值电压：1.2V@1mA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：4300pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
