采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"MI+"：1683}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SGD02N120BUMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：9.6A
关断延迟时间：260ns
关断损耗：220µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：11nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：3.6V@15V，2A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：23995}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPEX
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：750mV
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7A
类型：MOSFET
导通电阻：34mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：8.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：8.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：11nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.4A
类型：MOSFET
导通电阻：1.35Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：8.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：8.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：8.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：8.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：11nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.4A
类型：MOSFET
导通电阻：1.35Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：8.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：8.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：8.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：11nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.4A
类型：MOSFET
导通电阻：1.35Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
功率：3W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：11nC
输入电容：876pF
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF
导通电阻：7.5mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3
导通电阻：1.35Ω
功率：62.5W
阈值电压：4V
包装方式：Tube
栅极电荷：11nC
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：4.4A
漏源电压：800V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3
导通电阻：1.35Ω
功率：62.5W
阈值电压：4V
包装方式：Tube
栅极电荷：11nC
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：4.4A
漏源电压：800V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
生产批次：{"MI+"：1683}
规格型号(MPN)：SGD02N120BUMA1
工作温度：-55℃ ~ 150℃
集电极截止电流(Ices)：1200V
ECCN：EAR99
开启延迟时间：23ns
关断延迟时间：260ns
栅极电荷：11nC
关断损耗：220µJ
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：3.6V@15V，2A
类型：NPT
集电极脉冲电流(Icm)：9.6A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G
阈值电压：3.5V
包装方式：Reel
漏源电压：40V
栅极电荷：11nC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
导通电阻：8.1mΩ
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G
阈值电压：3.5V
包装方式：Reel
漏源电压：40V
栅极电荷：11nC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
导通电阻：8.1mΩ
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
功率：3W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：11nC
输入电容：876pF
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF
导通电阻：7.5mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"23+"：13518}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SGB02N120ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：9.6A
关断延迟时间：260ns
关断损耗：220µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：11nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：3.6V@15V，2A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"23+"：13518}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SGB02N120ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：9.6A
关断延迟时间：260ns
关断损耗：220µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：11nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：3.6V@15V，2A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"23+"：13518}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SGB02N120ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：9.6A
关断延迟时间：260ns
关断损耗：220µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：11nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：3.6V@15V，2A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4430
功率：3W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：11nC
输入电容：876pF
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF
导通电阻：7.5mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"23+"：13518}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SGB02N120ATMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：9.6A
关断延迟时间：260ns
关断损耗：220µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：11nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：3.6V@15V，2A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：8.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：8.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD5C466NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：38W
阈值电压：3.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：49A
类型：MOSFET
导通电阻：8.1mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"MI+"：1683}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SGD02N120BUMA1
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
集电极脉冲电流(Icm)：9.6A
关断延迟时间：260ns
关断损耗：220µJ
开启延迟时间：23ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：11nC
类型：NPT
集电极电流(Ic)：3.6V@15V，2A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
