包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXXH30N60B3D1

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：115A

关断延迟时间：97ns

反向恢复时间：25ns

关断损耗：500µJ

开启延迟时间：23ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：39nC

类型：PT

集电极电流(Ic)：1.85V@15V，24A

导通损耗：550µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXXH30N60B3D1

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：115A

关断延迟时间：97ns

反向恢复时间：25ns

关断损耗：500µJ

开启延迟时间：23ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：39nC

类型：PT

集电极电流(Ic)：1.85V@15V，24A

导通损耗：550µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXXH30N60B3D1

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：115A

关断延迟时间：97ns

反向恢复时间：25ns

关断损耗：500µJ

开启延迟时间：23ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：39nC

类型：PT

集电极电流(Ic)：1.85V@15V，24A

导通损耗：550µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：5000}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPW60R165CP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：192W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：39nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：21A

类型：MOSFET

导通电阻：165mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：5000}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXXH30N60B3D1

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：115A

关断延迟时间：97ns

反向恢复时间：25ns

关断损耗：500µJ

开启延迟时间：23ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：39nC

类型：PT

集电极电流(Ic)：1.85V@15V，24A

导通损耗：550µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXXH30N60B3D1

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：115A

关断延迟时间：97ns

反向恢复时间：25ns

关断损耗：500µJ

开启延迟时间：23ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：39nC

类型：PT

集电极电流(Ic)：1.85V@15V，24A

导通损耗：550µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXXH30N60B3D1

ECCN：EAR99

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：115A

关断延迟时间：97ns

反向恢复时间：25ns

关断损耗：500µJ

开启延迟时间：23ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：39nC

类型：PT

集电极电流(Ic)：1.85V@15V，24A

导通损耗：550µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXXH30N60B3D1

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：115A

关断延迟时间：97ns

反向恢复时间：25ns

关断损耗：500µJ

开启延迟时间：23ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：39nC

类型：PT

集电极电流(Ic)：1.85V@15V，24A

导通损耗：550µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPW60R165CP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：192W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：39nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：21A

类型：MOSFET

导通电阻：165mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPG20N04S4L-08

工作温度：-55℃~+175℃

功率：54W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ€7.2mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPG20N04S4L-08

工作温度：-55℃~+175℃

功率：54W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：20A

类型：MOSFET

导通电阻：7.2mΩ€7.2mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：5000}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：240psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPW60R165CP

工作温度：-55℃~+150℃

功率：192W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：39nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：21A

类型：MOSFET

导通电阻：165mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"22+"：5000}

包装规格(MPQ)：5000psc

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

连续漏极电流：137A

包装方式：Reel

功率：107W

漏源电压：60V

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：3mΩ

ECCN：EAR99

阈值电压：3.3V

类型：MOSFET

栅极电荷：39nC

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：5000psc

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

连续漏极电流：137A

包装方式：Reel

功率：107W

漏源电压：60V

工作温度：-55℃~+175℃

导通电阻：3mΩ

阈值电压：3.3V

类型：MOSFET

栅极电荷：39nC

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：775}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IXXQ30N60B3M

包装方式：管件

集电极脉冲电流(Icm)：140A

关断延迟时间：150ns

反向恢复时间：36ns

关断损耗：800µJ

开启延迟时间：23ns

集电极截止电流(Ices)：600V

栅极电荷：39nC

集电极电流(Ic)：1.85V@15V，24A

导通损耗：550µJ

工作温度：-55℃ ~ 175℃

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5CGATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：775}

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IQE030N06NM5ATMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：107W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：39nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：137A

类型：MOSFET

导通电阻：3mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1