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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4005EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@6V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：525，"21+"：2031，"22+"：14309，"23+"：1545}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8306MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.1W€75W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4110pF@15V
连续漏极电流：23A€140A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4005EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@6V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8306MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.1W€75W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4110pF@15V
连续漏极电流：23A€140A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8306MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.1W€75W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4110pF@15V
连续漏极电流：23A€140A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4005EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@6V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4005EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@6V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：525，"21+"：2031，"22+"：14309，"23+"：1545}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4005EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@6V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：525，"21+"：2031，"22+"：14309，"23+"：1545}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：525，"21+"：2031，"22+"：14309，"23+"：1545}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4005EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@6V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4005EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@6V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8306MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.1W€75W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4110pF@15V
连续漏极电流：23A€140A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF8306MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.1W€75W
阈值电压：2.35V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4110pF@15V
连续漏极电流：23A€140A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3228}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7420TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3529pF@10V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@11.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4005EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@6V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4005EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@6V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4005EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@6V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4005EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@6V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4005EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@6V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4005EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@6V
连续漏极电流：15A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：525，"21+"：2031，"22+"：14309，"23+"：1545}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86012
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5075pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@23A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
