品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK170N20T
工作温度:-55℃~175℃
功率:1150W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:管件
输入电容:19600pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@60A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€245W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16013pF@20V
连续漏极电流:78.9A€554.5A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€245W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16013pF@20V
连续漏极电流:78.9A€554.5A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1277}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8832
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@15V
连续漏极电流:34A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€245W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16013pF@20V
连续漏极电流:78.9A€554.5A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€245W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16013pF@20V
连续漏极电流:78.9A€554.5A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€245W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16013pF@20V
连续漏极电流:78.9A€554.5A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK170N20T
工作温度:-55℃~175℃
功率:1150W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:管件
输入电容:19600pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@60A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€245W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16013pF@20V
连续漏极电流:78.9A€554.5A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1277}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8832
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@15V
连续漏极电流:34A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€245W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16013pF@20V
连续漏极电流:78.9A€554.5A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€245W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16013pF@20V
连续漏极电流:78.9A€554.5A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK170N20T
工作温度:-55℃~175℃
功率:1150W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:管件
输入电容:19600pF@25V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@60A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8832
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@15V
连续漏极电流:34A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK120N30T
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:20000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":1277}
规格型号(MPN):FDB8832
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:34A€80A
栅极电荷:265nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.9mΩ@80A,10V
功率:300W
输入电容:11400pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8832
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@15V
连续漏极电流:34A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:265nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
功率:5W€245W
输入电容:16013pF@20V
连续漏极电流:78.9A€554.5A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D6N04CLTXG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:265nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
功率:5W€245W
输入电容:16013pF@20V
连续漏极电流:78.9A€554.5A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1277}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8832
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@15V
连续漏极电流:34A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1277}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8832
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@15V
连续漏极电流:34A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK120N30T
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:20000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK120N30T
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:20000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1277}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8832
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@15V
连续漏极电流:34A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK120N30T
工作温度:-55℃~150℃
功率:960W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:265nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:20000pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存: